IGBT-модуль Semikron SKM600GB12E4 600 А 1200 В

IGBT-модуль Semikron SKM600GB12E4 600 А 1200 В — силовой полупроводниковый модуль для управляемой коммутации в преобразовательной технике.

В исходных технических данных указаны: указанный ток 600 А, класс напряжения 1200 В, схема Полумост.

• Производитель: Semikron
• Модель: SKM600GB12E4
• Тип: IGBT-модуль
• Номинальный ток: 600 А
• Класс напряжения / указанное напряжение: 1200 В
• Топология: Полумост
• Количество ключей: 2
• Технология: Trench IGBT
• Корпус: Semitrans 3
• Размеры корпуса: 106,4х61,4х30,5
• Диапазон рабочих температур: -40 - +125 °C
• Температура хранения: -40 - +150 °C
• Максимальная температура перехода: +175°C

Модуль применяют в частотных преобразователях, инверторах, приводной электронике, системах управления электродвигателями и преобразователях мощности.

Перед установкой проверьте выводы, способ крепления, электрическую схему, совместимость драйвера и радиатора по паспорту модели. При подборе учитывайте режим коммутации, охлаждение и предельные параметры полупроводника.