Prom – найбільший маркетплейс України
К сожалению, товар недоступен. Просмотри товары от других продавцов

Транзистор BD243C; (TO-220)

Код: BD243C
Недоступен
14.40 ₴
Транзистор BD243C; (TO-220) - фото 1 - id-p630746437
  • Транзистор BD243C; (TO-220) - фото 1 - id-p630746437
  • Транзистор BD243C; (TO-220) - фото 2 - id-p630746437

Характеристики и описание

Основные

Тип транзистораБиполярный
Материал корпусаПластик
Тип биполярного транзистораN-P-N
Производитель
STMicroelectronics

Пользовательские характеристики

Общее рассеивание при ТК = 25°С65W
Коллекторный ток6A
Напряжение коллектор-база100V
Напряжение коллектор-эмиттер100V
Транзистор биполярный BD243C;   6A, 100V; 65W.  N-P-N   (TO-220)     . P D F - http://www.onsemi.ru.com/PowerSolutions/document/BD243B-D.PDF
Похожие товары по характеристикам

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре

Похожее у других продавцов

IRF9Z34NSPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-263-3]: Тип: P: Uси: 55 В: Iс(25°C): 19 А: Rси(вкл): 0.1 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
IRF9Z34NSPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-263-3]: Тип: P: Uси: 55 В: Iс(25°C): 19 А: Rси(вкл): 0.1 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
176.30 ₴
STF12NK60Z Транзистор: N-MOSFET, полевой, N-Channel 600 V 10A (Tc) 35W
STF12NK60Z Транзистор: N-MOSFET, полевой, N-Channel 600 V 10A (Tc) 35W
125 ₴
IRG4IBC20UDPBF IGBT транзистор - [TO-220-3-FP]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 11.4 А: Iк@100°C: 6 А: Uкэ.нас: 1.85 В: tнар: 15 нс:
IRG4IBC20UDPBF IGBT транзистор - [TO-220-3-FP]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 11.4 А: Iк@100°C: 6 А: Uкэ.нас: 1.85 В: tнар: 15 нс:
338.80 ₴
IRFR9310PBF МОП-транзистор, P Канал, 1.8 А, -400 В, 7 Ом, -10 В, -4 В
IRFR9310PBF МОП-транзистор, P Канал, 1.8 А, -400 В, 7 Ом, -10 В, -4 В
138.80 ₴
STP150NF55 MOSFET транзистор - TO-220, Тип: N, Uси: 55 В, Iс(25°C): 150 А, Rси(вкл): 6 мОм, @Uзатв(ном): 10 В, Qзатв: 140 нКл
STP150NF55 MOSFET транзистор - TO-220, Тип: N, Uси: 55 В, Iс(25°C): 150 А, Rси(вкл): 6 мОм, @Uзатв(ном): 10 В, Qзатв: 140 нКл
327.50 ₴
IRF3205ZSTRLPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-263-3]: Тип: N: Uси: 55 В: Iс(25°C): 75 А: Rси(вкл): 6.5 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
IRF3205ZSTRLPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-263-3]: Тип: N: Uси: 55 В: Iс(25°C): 75 А: Rси(вкл): 6.5 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
282.50 ₴
IGW30N60TPXKSA1 БТИЗ транзистор, 53 А, 1.6 В, 200 Вт, 600 В
IGW30N60TPXKSA1 БТИЗ транзистор, 53 А, 1.6 В, 200 Вт, 600 В
377.50 ₴
IRLU8743PBF MOSFET N-CH 30V 160A
IRLU8743PBF MOSFET N-CH 30V 160A
128.80 ₴
IPP60R099P7 Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 20А, 117Вт
IPP60R099P7 Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 20А, 117Вт
321.30 ₴
IRFR2905ZPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: N: Uси: 55 В: Iс(25°C): 59 А: Rси(вкл): 14.5 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFR2905ZPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: N: Uси: 55 В: Iс(25°C): 59 А: Rси(вкл): 14.5 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
118.80 ₴
CSD18504KCS Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 100А, 115Вт
CSD18504KCS Транзистор: N-MOSFET, полевой, 40В, 100А, 115Вт
170 ₴
STB9NK50ZT4 MOSFET транзистор - TO-263-2: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 7.2 А: Rси(вкл): 0.85 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс):
STB9NK50ZT4 MOSFET транзистор - TO-263-2: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 7.2 А: Rси(вкл): 0.85 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс):
138.80 ₴
IPP034NE7N3GXKSA1 Транзистор: N-MOSFET, однополярный, 75В, 100А, 214 Вт
IPP034NE7N3GXKSA1 Транзистор: N-MOSFET, однополярный, 75В, 100А, 214 Вт
302.50 ₴
IRF1405ZPBF MOSFET транзистор: N-канал, 55 В, 150 А, 4.9 мОм
IRF1405ZPBF MOSFET транзистор: N-канал, 55 В, 150 А, 4.9 мОм
167.50 ₴