
| Максимальная мощность рассеивания | 2 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 40 В |
| Максимально допустимый ток стока | 13 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 6.6 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
|---|---|
| Корпус | SO8 |
| Производитель | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
N-канальный MOSFET-транзистор ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR модели AOSP66406 в корпусе SO8. Предназначен для поверхностного монтажа, имеет максимальное напряжение сток-исток 40 В и ток стока 13 А.
Транзистор является полевым (MOSFET) с каналом обогащения (enhancement mode). Максимально допустимое напряжение между стоком и истоком составляет 40 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимальный постоянный ток стока равен 13 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 6,6 мОм.
Мощность и конструкцияМаксимальная мощность рассеивания транзистора — 2 Вт. Корпус типа SO8 предназначен для поверхностного монтажа. Заряд затвора составляет 8,5 нКл.
КомплектацияВ наборе поставляется 30 единиц транзисторов AOSP66406. Транзистор является униполярным (Polaryzacja: unipolarny).