
| Производитель | Semikron |
|---|
| Диапазон рабочих температур | -40 - +125 °C |
|---|---|
| Количество ключей | 2 |
| Макс. температура перехода | +125°C |
| Номинальный ток коллектора | 241 А |
| Обратное напряжение | 1200 В |
| Размеры корпуса | 122×62×17 |
| Темература хранения | -40 - +125 °C |
| Технология | Trench IGBT |
| Тип корпуса | Semitrans 3 |
| Тип модуля | IGBT модуль |
| Топология | полумост IGBT |
IGBT-модуль Semikron SKM200GB12T4 241 А 1200 В — силовой полупроводниковый модуль для управляемой коммутации в преобразовательной технике.
В исходных технических данных указаны: указанный ток 241 А, класс напряжения 1200 В, схема полумост IGBT.
Технические характеристикиМодуль применяют в частотных преобразователях, инверторах, приводной электронике, системах управления электродвигателями и преобразователях мощности.
Особенности подбора и монтажаПеред установкой проверьте выводы, способ крепления, электрическую схему, совместимость драйвера и радиатора по паспорту модели. При подборе учитывайте режим коммутации, охлаждение и предельные параметры полупроводника.