Транзистор IGBT IXYS IXXH60N65B4H1, 650 В, 265 А, TO247-3 (2 шт.)
Код: TM019306
В наличии
3 330 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 555 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | IXYS |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 536 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 265 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Транзистор IGBT производства IXYS, модель IXXH60N65B4H1. Это полупроводниковый прибор в корпусе TO247-3 с максимальным напряжением коллектор-эмиттер 650 В и мощностью рассеивания 536 Вт. В комплекте поставляется 2 штуки.
- Тип транзистора: IGBT
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Максимально допустимый ток коллектора: 265 А
- Максимальная мощность рассеивания: 536 Вт
- Корпус: TO247-3
- Количество в комплекте: 2 шт.
Транзистор имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 650 В и максимальный ток коллектора 265 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 536 Вт.
Конструкция и монтажПрибор выполнен в корпусе TO247-3 с выводным типом монтажа. Используется технология GenX4™, Trench и XPT™.
КомплектацияВ наборе находится 2 транзистора IGBT.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
