
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 60 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 5.5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 780 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | MDmesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP9N60M2 — полевой транзистор с обогащенным каналом в корпусе TO220-3. Комплект состоит из 30 штук.
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 600 В, а максимально допустимый ток стока — 5,5 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 780 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 60 Вт.
Конструкция и монтажТранзистор изготовлен по технологии MDmesh™. Корпус TO220-3 обеспечивает выводной тип монтажа (THT). Поляризация — униполярная, тип транзистора — полевой. Канал транзистора — обогащенный (enhancement mode).