
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 210 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 19 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 99 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP45N60DM6 — полевой транзистор с индуцированным каналом. Модель рассчитана на напряжение сток-исток до 600 В и ток стока 19 А в корпусе TO220-3.
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 600 В. Максимально допустимый ток стока равен 19 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 99 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 210 Вт.
Конструкция и монтажТранзистор выполнен в корпусе TO220-3 с выводным типом монтажа. Поляризация транзистора — униполярная, тип канала — индуцированный. Импульсный ток стока (Idm) может достигать 95 А, а заряд затвора составляет 44 нКл.
КомплектацияВ комплекте поставки находится 5 шт. транзисторов.