Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIF120SIC028, 1200 В, 84 А, 715 Вт
Код: TM202607
В наличии
3 190 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 532 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | Diotec Semiconductor |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 715 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 84 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 26 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | TO247-4 |
| Технология | SiC |
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DIF120SIC028 изготовлен по технологии SiC. Устройство рассчитано на максимальное напряжение 1200 В, ток стока 84 А и рассеиваемую мощность до 715 Вт.
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Технология: SiC (карбид кремния)
- Максимальное напряжение: 1200 В
- Ток стока: 84 А
- Мощность рассеивания: 715 Вт
- Корпус: TO247-4
Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 20 В, а максимально допустимый ток стока — 84 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 26 мОм. Максимальная мощность рассеивания ограничена значением 715 Вт.
Конструкция и монтажКомпонент выполнен в корпусе TO247-4 с выводным типом монтажа. Это полевой транзистор с каналом типа «wzbogacany» (обогащенный) и униполярной проводимостью.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
