Транзистор IGBT ONSEMI NGTB40N120FL2WG, 1200 В, 40 А, TO247-3 (набор 5 шт.)
Код: TM019898
В наличии
3 360 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 560 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | ON Semiconductor |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 267 Вт |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Транзистор IGBT от бренда ONSEMI с моделью NGTB40N120FL2WG. Это полупроводниковый прибор в корпусе TO247-3. В комплекте поставляется 5 единиц.
- Тип транзистора: IGBT
- Максимальное напряжение: 1200 В
- Максимальный ток коллектора: 40 А
- Мощность рассеивания: 267 Вт
- Корпус: TO247-3
- Количество в комплекте: 5 шт.
Транзистор имеет максимально допустимый ток коллектора 40 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 267 Вт. Заряд затвора равен 313 нКл, а допустимое напряжение затвор-эмиттер — ±20 В.
Конструкция и монтажПрибор выполнен в корпусе TO247-3. Тип монтажа — выводной.
КомплектацияВ наборе содержится 5 транзисторов IGBT.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
