Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIW120SIC028, 1200 В, 84 А, TO247-3
Код: TM152586
В наличии
3 190 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 532 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | Diotec Semiconductor |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 715 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 84 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 26 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | TO247-3 |
| Технология | SiC |
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DIW120SIC028 — силовой полупроводниковый прибор на основе карбида кремния (SiC). Максимальное напряжение затвор-исток составляет 20 В, максимальный ток стока — 84 А.
- Технология SiC (карбид кремния)
- Максимальная мощность рассеивания 715 Вт
- Ток стока 84 А
- Сопротивление в открытом состоянии 26 мОм
- Корпус TO247-3, вставной монтаж
Максимальная мощность рассеивания составляет 715 Вт.
Электрические параметрыМаксимально допустимый ток стока составляет 84 А, а максимально допустимое напряжение затвор-исток — 20 В.
Технология и монтажТехнология изготовления — SiC (карбид кремния). Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 26 мОм. Корпус — TO247-3, тип монтажа — вставной.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
