
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 80 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 16 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 35 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 17 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | STripFET™ II |
Транзистор N-MOSFET STripFET™ II от STMicroelectronics в корпусе DPAK. Модель STD35NF06LT4 рассчитана на максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 35 А при мощности рассеивания 80 Вт.
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 60 В, а напряжение затвор-исток — 16 В. Максимальный ток стока равен 35 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 17 мОм.
Технология и корпусТранзистор изготовлен по технологии STripFET™ II и имеет полевой тип с каналом типа обогащения. Полярность — униполярная. Корпус DPAK предназначен для поверхностного монтажа (SMD).
Комплектация и монтажВ комплекте поставляется 20 шт. транзисторов.