
| Максимальная мощность рассеивания | 5500 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимый ток коллектора | 15 А |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | MiniSKiiP® 1 |
| Производитель | SEMIKRON DANFOSS |
Модуль IGBT от бренда SEMIKRON DANFOSS, модель SKIIP 12NAB12T4V1. Это полупроводниковый модуль в корпусе MiniSKiiP® 1 с максимальным током коллектора 15 А и напряжением 1,6 кВ.
Модуль рассчитан на максимальную мощность рассеивания 5500 Вт. Максимально допустимый ток коллектора составляет 15 А, а максимальное обратное напряжение — 1,6 кВ. Напряжение между затвором и эмиттером равно ±20 В.
Конструкция и монтажМодуль имеет топологию boost chopper, трехфазный диодный мост, трехфазный IGBT-мост и термистор NTC. Структура полупроводника включает диод и транзистор. Механический монтаж выполняется прикручиванием, а электрический — по технологии Press-Fit.