Транзистор N-MOSFET SiC DIOTEC DIF120SIC022-AQ, 1200 В, 85 А, TO247-4
Код: TM202606
В наличии
5 580 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 930 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | Diotec Semiconductor |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 340 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 18 В |
| Максимально допустимый ток стока | 85 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 28 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | TO247-4 |
| Технология | SiC |
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DIF120SIC022-AQ изготовлен по технологии SiC (карбид кремния). Прибор имеет максимальное напряжение сток-исток 1,2 кВ и ток стока 85 А.
- Технология SiC
- Максимальное напряжение 1200 В
- Ток стока 85 А (импульсный 250 А)
- Сопротивление Rds 28 мОм
- Корпус TO247-4 с выводом Кельвина
- Мощность рассеивания 340 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 18 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 28 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 340 Вт.
Конструкция и монтажКомпонент выполнен в корпусе TO247-4 с выводом Кельвина. Тип монтажа — выводной (THT). Импульсный ток может достигать 250 А, а заряд затвора составляет 269 нКл. Канал транзистора — обогащенный, полярность — униполярная. Компонент предназначен для использования в автомобильной промышленности.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
