Транзистор IGBT-модуль SEMIKRON DANFOSS, полумост, 1200 В, 774 А, SEMITRANS3 (SKM150GB12VG 22892052)
Код: TM232650
В наличии
21 170 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 3528 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Максимально допустимый ток коллектора | 774 А |
|---|
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 мес |
|---|---|
| Корпус | SEMITRANS3 |
| Производитель | SEMIKRON DANFOSS |
Транзистор IGBT-модуль SEMIKRON DANFOSS SKM150GB12VG — полупроводниковый модуль типа IGBT с топологией полумоста в корпусе SEMITRANS3. Максимальное обратное напряжение модуля — 1,2 кВ, максимально допустимый ток коллектора — 774 А.
- Максимальное обратное напряжение: 1,2 кВ
- Ток коллектора: 774 А
- Напряжение затвор – эмиттер: ±20 В
- Корпус: SEMITRANS3
- Топология: полумост IGBT
- Монтаж: прикручиваемый, коннекторы FASTON
Максимальное обратное напряжение составляет 1,2 кВ. Максимально допустимый ток коллектора — 774 А. Напряжение затвор – эмиттер — ±20 В.
Структура и топологияСтруктура полупроводника — транзистор/транзистор, то есть модуль содержит два транзистора. Топология модуля — полумост IGBT.
Корпус и монтажМодуль выполнен в корпусе SEMITRANS3. Механический монтаж — прикручиваемый. Электрический монтаж — коннекторы FASTON и прикручивание.
ПрименениеПо данным производителя, модуль применяется в источниках бесперебойного питания (UPS) и инверторах. Также в применениях указана фотоэлектрика.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
