Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD4NK60Z-1, 600 В, 2,5 А, IPAK (20 шт.)
Код: TM206679
В наличии
1 950 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 325 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 70 Вт |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 2.5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2000 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Количество в комплекте | 20 шт. |
|---|---|
| Корпус | IPAK |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD4NK60Z-1 — это полевой транзистор с обогащенным каналом и максимально допустимым напряжением 600 В.
- Тип транзистора: N-MOSFET, полевой
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
- Максимально допустимый ток стока: 2,5 А
- Максимальная мощность рассеивания: 70 Вт
- Корпус: IPAK, выводной монтаж
- Количество в комплекте: 20 шт.
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 600 В. Максимально допустимый ток стока равен 2,5 А, импульсный ток: 16 А. Максимальная мощность рассеивания: 70 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 2000 мОм.
Конструкция и монтажТранзистор выполнен в корпусе IPAK с выводным типом монтажа. Заряд затвора составляет 26 нКл.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
