Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP7N80K5, 800 В, 6 А, SuperMESH5, 10 шт.
Код: TM156911
В наличии
2 280 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 380 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 110 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 6 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1200 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Версия | ESD |
|---|---|
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | SuperMESH5™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP7N80K5 — это униполярный полупроводниковый прибор с технологией SuperMESH5™. Комплект состоит из 10 штук в корпусе TO220-3 для монтажа на плату (THT).
- Напряжение сток-исток: 800 В
- Ток стока: 6 А
- Рассеиваемая мощность: 110 Вт
- Технология: SuperMESH5™
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Количество в комплекте: 10 шт.
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 800 В и ток стока 6 А. Рассеиваемая мощность составляет 110 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 1,2 Ом. Напряжение затвор-исток ограничено ±30 В. Канал обогащенного типа, что определяет режим работы прибора.
Технология SuperMESH5™Транзистор изготовлен по технологии SuperMESH5™. Корпус TO220-3 обеспечивает стандартное крепление и отвод тепла. Тип монтажа THT (through-hole technology) означает, что выводы проходят сквозь отверстия в плате. Версия ESD указывает на наличие защиты от электростатического разряда.
Защита от ESD и комплектацияОтзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
