Транзистор N-MOSFET ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AON7280, 80 В, 39 А, DFN3x3 EP (30 шт.)

Name: Транзистор N-MOSFET ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AON7280, 80 В, 39 А, DFN3x3 EP (30 шт.)
SKU: TM071120
Price: 1990 UAH
Availability: InStock

Код: TM071120

В наличии

1 990 ₴

+1%

бонусов с картой Rozetka

Продавец CLICKgo.fun- интернет магазин

94%

Доставка

Подписка на доставку Smart
Бесплатно — в отделения Новой почты
Узнать больше
Нова Пошта

Оплата и гарантии

Безопасная оплата картой
Без переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частями
Без переплат*, от 332 ₴/мес.
Подробнее
Наложенный платеж
Нова Пошта, Самовывоз
Оплата на счет
IBAN UA063220010000026005360045578

Транзистор N-MOSFET ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AON7280, 80 В, 39 А, DFN3x3 EP (30 шт.) - фото 1 - id-p3231577035

Характеристики и описание

Основные

Максимальная мощность рассеивания	33 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток	20 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток	80 В
Максимально допустимый ток стока	39 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)	8.5 mOm
Тип монтажа	Поверхностный
Тип транзистора	Полевой

Пользовательские характеристики

Количество в комплекте	30 шт.
Корпус	DFN3x3 EP
Производитель	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Транзистор N-MOSFET ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AON7280 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Комплект состоит из 30 штук в корпусе DFN3x3 EP для поверхностного монтажа (SMD).

Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
Максимальное напряжение сток-исток: 80 В
Ток стока: 39 А
Рассеиваемая мощность: 33 Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 8,5 мОм
Корпус: DFN3x3 EP, монтаж SMD
Количество в комплекте: 30 шт.

Мощность и ток

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 80 В и ток стока 39 А. Рассеиваемая мощность составляет 33 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента.

Сопротивление и потери

Сопротивление в открытом состоянии равно 8,5 мОм, что минимизирует потери энергии при прохождении тока. Этот параметр важен для эффективной работы схемы под нагрузкой.

Управление затвором

Заряд затвора составляет 26,5 нКл, что влияет на скорость переключения транзистора. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — ±20 В, что определяет требования к драйверу управления.