Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10NK80ZFP, 800 В, 3 А, 40 Вт, TO220FP (5 шт.)
Код: TM114332
В наличии
2 460 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 410 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 40 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 3 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 900 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технология | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10NK80ZFP — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе TO220FP для монтажа в отверстия (THT). Комплект состоит из 5 единиц.
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 В
- Максимально допустимый ток стока: 3 А
- Максимальная мощность рассеивания: 40 Вт
- Корпус TO220FP с монтажом в отверстия (THT)
- Технология SuperMesh™ и версия ESD
- Комплект: 5 транзисторов
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 800 В. Максимально допустимый ток стока ограничен значением 3 А, а максимальная мощность рассеивания — 40 Вт.
Технология и защитаТранзистор изготовлен по технологии SuperMesh™. Версия ESD.
Корпус и монтажКомпонент поставляется в корпусе TO220FP. Тип монтажа THT (through-hole technology) означает, что выводы транзистора предназначены для установки в отверстия печатной платы и пайки с другой стороны.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
