
| Производитель | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 0.35 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 65 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Граничная частота передачи | 200 МГц |
|---|
| Количество в комплекте | 150 шт. |
|---|---|
| Корпус | SOT23 |
Транзистор BC856A-7-F от Diodes Incorporated — это биполярный полупроводниковый прибор структуры PNP в корпусе SOT23. Комплект состоит из 150 единиц.
Транзистор работает с напряжением коллектор-эмиттер до 65 В и током коллектора 0,1 А. Мощность рассеивания составляет 350 мВт, а коэффициент усиления по току (hFE) находится в диапазоне 125...250.
Монтаж и корпусКомпонент выполнен в корпусе SOT23 для поверхностного монтажа (SMD).
Частотные характеристикиГраничная частота перехода fT составляет 200 МГц. Этот параметр определяет верхнюю границу частотного диапазона, в котором транзистор сохраняет свои усилительные свойства.
КомплектацияВ упаковке находится 150 транзисторов BC856A-7-F.