Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW33N60DM2, 650 В, 15,5 А, TO247 (5 шт.)
Код: TM020992
В наличии
2 660 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 443 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 190 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 15.5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 110 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Количество в комплекте | 5 шт. |
|---|---|
| Корпус | TO247 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW33N60DM2 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Комплект состоит из 5 единиц в корпусе TO247, что удобно для массового монтажа или создания запаса компонентов.
- Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 650 В
- Постоянный ток стока: 15,5 А
- Импульсный ток стока: 96 А
- Рассеиваемая мощность: 190 Вт
- Корпус: TO247, монтаж THT
- Количество в комплекте: 5 шт.
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 650 В и постоянный ток стока 15,5 А. Импульсный ток стока может достигать 96 А.
Эффективное рассеивание теплаМаксимальная рассеиваемая мощность составляет 190 Вт.
Удобный монтаж и комплектацияКомпонент имеет тип монтажа THT (выводной монтаж). В комплекте поставляется 5 транзисторов.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
