Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP9NK65Z, 650В, 6,4А, TO220-3, набор 20 шт.

Набор из 20 транзисторов STMicroelectronics STP9NK65Z типа N-MOSFET в корпусе TO220-3. Предназначен для монтажа на плату с выводами (THT). Ключевые параметры: напряжение сток-исток 650 В, постоянный ток 6,4 А, рассеиваемая мощность 125 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 650 В
• Постоянный ток стока: 6,4 А, импульсный: 25,6 А
• Рассеиваемая мощность: 125 Вт
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Количество в наборе: 20 шт.

Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между выводами стока и истока составляет 650 В, а напряжение на затворе — ±30 В. Ток стока в импульсном режиме достигает 25,6 А.

Рассеиваемая мощность транзистора составляет 125 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) равно 1,2 Ом. Общий заряд затвора (Qg) — 41 нКл.

В комплекте поставляется 20 единиц транзисторов. Тип монтажа — THT (through-hole technology), то есть компонент устанавливается в отверстия на печатной плате. Корпус TO220-3.