Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP120N4F6, 40V, 80A, TO220-3 (набор 10 шт.)
Код: TM078813
В наличии
1 960 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 327 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 110 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 40 В |
| Максимально допустимый ток стока | 80 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4.3 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Количество в комплекте | 10 шт. |
|---|---|
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | STripFET™ H6 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP120N4F6 — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе TO220-3 для монтажа на плату (THT). Комплект состоит из 10 единиц.
- Ток стока 80 А (постоянный) и 320 А (импульсный)
- Напряжение сток-исток 40 В
- Сопротивление в открытом состоянии 4,3 мОм
- Корпус TO220-3 для монтажа THT
- Технология STripFET™ H6
- Комплект: 10 транзисторов
Транзистор работает с напряжением сток-исток до 40 В и постоянным током стока 80 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 320 А, а рассеиваемая мощность составляет 110 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 4,3 мОм.
Технология и управлениеПрибор изготовлен по технологии STripFET™ H6. Заряд затвора составляет 65 нКл, а допустимое напряжение затвор-исток — ±20 В. Тип канала — обогащенный (enhancement mode).
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
