
| Максимальная мощность рассеивания | 56.8 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 1.6 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 3500 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Количество в комплекте | 50 шт. |
|---|---|
| Корпус | TO252 |
| Производитель | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Транзистор ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD3N60 — это полевой N-MOSFET транзистор в корпусе TO252 для поверхностного монтажа. Модель рассчитана на максимальное напряжение сток-исток 600 В и ток стока 1,6 А при мощности рассеивания 56,8 Вт.
Транзистор является полевым (полевой) с каналом типа «wzbogacany» (обогащенный) и униполярной поляризацией. Максимально допустимое напряжение между стоком и истоком составляет 600 В, а напряжение затвор-исток ограничено 30 В. Максимальный ток стока равен 1,6 А, что определяет рабочий диапазон устройства.
Мощность и сопротивлениеМаксимальная мощность рассеивания транзистора — 56,8 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 3500 мОм. Заряд затвора составляет 9,9 нКл.
Монтаж и корпусТранзистор выполнен в корпусе TO252, что предполагает поверхностный монтаж (SMD). В комплекте поставляется 50 штук.