
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 3.3 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 4 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 100 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 мес |
|---|---|
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Технология | STripFET™ II |
Набор из 30 транзисторов N-MOSFET STN3NF06 от STMicroelectronics в корпусе SOT223. Предназначены для поверхностного монтажа (SMD) и работы с напряжением до 60 В и током до 4 А.
Транзистор является униполярным N-MOSFET с обогащенным каналом, изготовленным по технологии STripFET™ II. Максимальное напряжение между истоком и стоком составляет 60 В, а максимальный ток стока — 4 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,1 Ом. Максимальная рассеиваемая мощность — 3,3 Вт.
Корпус и монтажКомпонент выполнен в корпусе SOT223. Монтаж осуществляется методом поверхностного монтажа (SMD). Максимальное напряжение между затвором и истоком составляет ±20 В.
КомплектацияВ упаковке содержится 30 одинаковых транзисторов STN3NF06.