Транзистор IGBT STMicroelectronics STGB10NB37LZT4, 440 В, 20 А, D2PAK (10 шт.)
Код: TM078705
В наличии
2 290 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 382 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 125 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 440 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 20 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
Пользовательские характеристики
| Версия | ESD |
|---|---|
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
IGBT-транзистор STMicroelectronics STGB10NB37LZT4 в корпусе D2PAK для SMD-монтажа. Комплект состоит из 10 штук с номинальным напряжением 440 В и током коллектора 20 А.
- Тип транзистора: IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер: 440 В
- Ток коллектора: 20 А (импульсный 40 А)
- Рассеиваемая мощность: 125 Вт
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Комплект: 10 шт.
Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 440 В и постоянный ток коллектора 20 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 40 А. Рассеиваемая мощность составляет 125 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента.
Особенности управления и защитыВерсия ESD обеспечивает встроенную защиту от электростатических разрядов. Элемент имеет внутреннее ограничение (internally clamped) и работает от логического уровня сигнала (logic level). Напряжение затвор-эмиттер ограничено ±20 В, а заряд затвора равен 28 нКл.
Монтаж и применениеКомпонент выполнен в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD). Согласно данным производителя, транзистор предназначен для систем зажигания. В комплекте поставляется 10 транзисторов.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
