
| Производитель | IXYS |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 625 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 430 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Количество в комплекте | 3 шт. |
|---|---|
| Корпус | TO247-3 |
IGBT-транзистор IXYS IXXH80N65B4 с технологией GenX4™. Модель имеет напряжение коллектор-эмиттер 650 В и ток коллектора 80 А. Корпус TO247-3.
Рассеиваемая мощность составляет 625 Вт.
Время коммутацииВремя включения составляет 125 нс, а время выключения — 222 нс.
Импульсный токМаксимальный импульсный ток коллектора составляет 430 А.
Монтаж и комплектацияКомпонент выполнен в корпусе TO247-3 с типом монтажа THT. В комплекте поставляется 3 шт. транзисторов. Напряжение затвор-эмиттер составляет ±20 В.