
| Максимальная мощность рассеивания | 57 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 500 В |
| Максимально допустимый ток стока | 1.8 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 3000 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
|---|---|
| Корпус | TO252 |
| Производитель | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Транзистор ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOD3N50 — это N-MOSFET с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Комплект состоит из 40 единиц в корпусе TO252 для поверхностного монтажа (SMD).
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 500 В и ток стока 1,8 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 57 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 3 Ом, а заряд затвора — 6,7 нКл.
Корпус и монтажКомпонент выполнен в корпусе TO252, что обеспечивает компактное размещение на плате. Тип монтажа — SMD (поверхностный). Напряжение затвор-исток ограничено ±30 В.