Транзистор IGBT STARPOWER GD15PJY120F1S, 1200 В, 30 А, корпус F1.1
Код: TM018717
В наличии
3 480 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 580 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Основные
| Тип монтажа | Вставной |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 мес |
|---|---|
| Корпус | F1.1 |
| Производитель | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
IGBT-модуль STARPOWER GD15PJY120F1S — полупроводниковый компонент с технологией Advanced Trench FS IGBT. Модуль имеет максимальное напряжение 1200 В и максимальный ток коллектора 30 А, выполнен в корпусе F1.1.
- Максимальное напряжение: 1200 В
- Максимально допустимый ток коллектора: 30 А
- Корпус: F1.1
- Тип монтажа: вставной
- Технология: Advanced Trench FS IGBT
- Топология: boost chopper, трехфазные мосты, NTC
Модуль рассчитан на максимальное обратное напряжение 1,2 кВ (1200 В). Максимально допустимый ток коллектора составляет 30 А. Напряжение между затвором и эмиттером ограничено значением ±20 В.
Конструкция и топологияКомпонент построен на базе структуры «диод/транзистор» с применением технологии Advanced Trench FS IGBT. Топология модуля включает boost chopper, трехфазный диодный мост, трехфазный IGBT-мост с выходом OE и термистор NTC.
Монтаж и корпусТип монтажа — вставной (plug-in). Модуль выполнен в корпусе типа F1.1.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
