
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 12.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 80 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 1.5 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Граничная частота передачи | 50 МГц |
|---|
| Количество в комплекте | 30 шт. |
|---|---|
| Корпус | SOT32 |
Транзистор NPN STMicroelectronics BD139 в корпусе SOT32 предназначен для монтажа на плату (THT). Комплект состоит из 30 единиц. Основные параметры: напряжение коллектор-эмиттер 80 В, ток коллектора 1,5 А и рассеиваемая мощность 12,5 Вт.
Биполярный транзистор типа NPN имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 80 В и постоянный ток коллектора 1,5 А. Коэффициент усиления по току (hFE) находится в диапазоне 25...250. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 12,5 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента.
Корпус и монтажКомпонент выполнен в корпусе SOT32. Тип монтажа — THT (through-hole technology), то есть выводы проходят сквозь отверстия в плате и припаиваются с другой стороны.
Частотные свойстваВерхняя граничная частота транзистора составляет 50 МГц. Эта характеристика определяет рабочий диапазон частот компонента.