Транзистор N-MOSFET ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AON6576, 30V, 25A, DFN5x6 (70 шт.)

Name: Транзистор N-MOSFET ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AON6576, 30V, 25A, DFN5x6 (70 шт.)
SKU: TM071114
Price: 1990 UAH
Availability: InStock

Код: TM071114

В наличии

1 990 ₴

+1%

бонусов с картой Rozetka

Продавец CLICKgo.fun- интернет магазин

94%

Доставка

Подписка на доставку Smart
Бесплатно — в отделения Новой почты
Узнать больше
Нова Пошта

Оплата и гарантии

Безопасная оплата картой
Без переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частями
Без переплат*, от 332 ₴/мес.
Подробнее
Наложенный платеж
Нова Пошта, Самовывоз
Оплата на счет
IBAN UA063220010000026005360045578

Транзистор N-MOSFET ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AON6576, 30V, 25A, DFN5x6 (70 шт.) - фото 1 - id-p3231577029

Характеристики и описание

Основные

Максимальная мощность рассеивания	10.4 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток	20 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток	30 В
Максимально допустимый ток стока	25 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)	4.7 mOm
Тип монтажа	Поверхностный
Тип транзистора	Полевой

Пользовательские характеристики

Количество в комплекте	70 шт.
Корпус	DFN5x6
Производитель	ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Транзистор N-MOSFET ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AON6576 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока до 25 А при напряжении 30 В. Комплект состоит из 70 единиц в корпусе DFN5x6 для поверхностного монтажа (SMD).

Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
Максимальное напряжение сток-исток: 30 В
Максимальный ток стока: 25 А
Мощность рассеивания: 10,4 Вт
Сопротивление в открытом состоянии: 4,7 мОм
Корпус: DFN5x6, монтаж SMD
Количество в комплекте: 70 шт.

Электрические параметры и мощность

Транзистор работает с напряжением сток-исток (VDS) 30 В и выдерживает постоянный ток стока (ID) 25 А. Мощность рассеивания составляет 10,4 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Напряжение затвор-исток (VGS) ограничено диапазоном ±20 В.

Низкое сопротивление в открытом состоянии

Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) равно 4,7 мОм, что обеспечивает малые потери при коммутации высоких токов.

Заряд затвора и скорость переключения

Полный заряд затвора (Qg) составляет 18,8 нКл. Этот параметр влияет на скорость переключения транзистора и требования к управляющему сигналу на затворе.