
| Максимальная мощность рассеивания | 21.5 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 80 В |
| Максимально допустимый ток стока | 41 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 6.6 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
|---|---|
| Корпус | DFN3.3x3.3 |
| Производитель | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
N-MOSFET транзистор ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AONR62818 в корпусе DFN3.3x3.3 для SMD-монтажа. Комплект из 30 единиц обеспечивает необходимое количество компонентов для серийного производства или ремонта плат.
Транзистор имеет напряжение сток-исток 80 В и максимальный ток стока 41 А. Рассеиваемая мощность составляет 21,5 Вт, что позволяет использовать компонент в схемах со средней нагрузкой. Сопротивление в открытом состоянии равно 6,6 мОм, что минимизирует потери энергии при работе.
Корпус и монтажКомпонент выполнен в компактном корпусе DFN3.3x3.3, что экономит место на печатной плате. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD), что упрощает автоматизацию процесса сборки. Такое решение подходит для современных электронных устройств с плотной компоновкой.
Электрические характеристики затвора и каналаТранзистор имеет канал обогащенного типа и заряд затвора 34 нКл. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В, что определяет допустимые режимы управления. Эти параметры важны для стабильной работы схемы при различных уровнях сигнала.