
| Производитель | ON Semiconductor |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 0.225 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 45 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.5 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Граничная частота передачи | 100 МГц |
|---|
| Количество в комплекте | 400 шт. |
|---|---|
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Транзистор ONSEMI BC807-16LT3G — это биполярный полупроводниковый прибор структуры PNP в корпусе SOT23. Комплект состоит из 400 единиц.
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 45 В и ток коллектора 0,5 А. Мощность рассеивания составляет 0,225 Вт, что соответствует габаритам корпуса SOT23. Коэффициент усиления по току (hFE) находится в диапазоне 100...250.
Монтаж и корпусПрибор выполнен в корпусе SOT23 (TO236AB) для поверхностного монтажа (SMD). Частота перехода fT составляет 100 МГц.