Модуль IGBT STMicroelectronics A1P35S12M3, 35 А, 1,2 кВ
Код: TM017731
В наличии
4 410 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 735 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 250 Вт |
| Тип монтажа | Вставной |
Пользовательские характеристики
| Корпус | ACEPACK™1 |
|---|
Полупроводниковый модуль IGBT от STMicroelectronics, модель A1P35S12M3. Это полумост IGBT x3 с током коллектора 35 А и обратным напряжением 1,2 кВ.
- Ток коллектора: 35 А
- Обратное напряжение: 1,2 кВ
- Максимальная мощность рассеивания: 250 Вт
- Максимально допустимый ток коллектора: 70 А
- Корпус: ACEPACK™1
- Тип монтажа: вставной
Модуль имеет максимально допустимый ток коллектора 70 А и максимальную мощность рассеивания 250 Вт. Обратное напряжение составляет 1,2 кВ, а напряжение затвор-эмиттер — ±20 В. Структура полупроводника реализована как транзистор/транзистор.
Конструкция и монтажКорпус модуля выполнен в формате ACEPACK™1. Тип монтажа — вставной (plug-in). Топология включает три полумоста IGBT и термистор NTC.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
