
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|
| Коллекторный ток | 60А |
|---|---|
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 650 В |
| Платеж через шлюз | 306 нКл |
| Рассеянная мощность | 375 Вт |
| Свойства полупроводниковых элементов | интегрированный антипараллельный диод |
| Случай | ТО247-3 |
| Тип транзистора | ИГБТ |
| Тип упаковки | трубка |
| Ток коллектора импульса | 240А |
| Установка | ТХТ |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Тип транзистора | ИГБТ |
| Напряжение коллектор-эмиттер | 650 В |
| Коллекторный ток | 60А |
| Рассеянная мощность | 375 Вт |
| Случай | ТО247-3 |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Ток коллектора импульса | 240А |
| Установка | ТХТ |
| Платеж через шлюз | 306 нКл |
| Тип упаковки | трубка |
| Свойства полупроводниковых элементов | интегрированный антипараллельный диод |