
| Импульсный ток стока | 44А |
|---|---|
| Напряжение затвор-исток | ±30 В |
| Напряжение сток-исток | 1 кВ |
| Платеж через шлюз | 225 нС |
| Поляризация | униполярный |
| Производитель | ТЕХНОЛОГИЯ МИКРОЧИПОВ |
| Рассеянная мощность | 280 Вт |
| Случай | D3PAK |
| Сопротивление в активном состоянии | 1 Ом |
| Технологии | POWER MOS 5® |
| Тип канала | обогащенный |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Тип упаковки | трубка |
| Установка | SMD |
| ток стока | 11А |
| Производитель | ТЕХНОЛОГИЯ МИКРОЧИПОВ |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Поляризация | униполярный |
| Напряжение сток-исток | 1 кВ |
| ток стока | 11А |
| Рассеянная мощность | 280 Вт |
| Случай | D3PAK |
| Сопротивление в активном состоянии | 1 Ом |
| Установка | SMD |
| Платеж через шлюз | 225 нС |
| Напряжение затвор-исток | ±30 В |
| Тип упаковки | трубка |
| Импульсный ток стока | 44А |
| Технологии | POWER MOS 5® |
| Тип канала | обогащенный |