
| Импульсный ток стока | 240А |
|---|---|
| Напряжение затвор-исток | ±20 В |
| Напряжение сток-исток | 650 В |
| Платеж через шлюз | 22нС |
| Поляризация | униполярный |
| Производитель | NEXPERIA |
| Рассеянная мощность | 187W |
| Случай | SOT429, TO247 |
| Сопротивление в активном состоянии | 35 мОм |
| Технологии | GaN |
| Тип транзистора | HEMT, каскод |
| Тип упаковки | трубка |
| Установка | ТХТ |
| ток стока | 33.4А |
| Производитель | NEXPERIA |
| Тип транзистора | N-JFET / N-MOSFET |
| Поляризация | униполярный |
| Напряжение сток-исток | 650 В |
| ток стока | 33.4А |
| Импульсный ток стока | 240А |
| Рассеянная мощность | 187W |
| Случай | SOT429, TO247 |
| Напряжение затвор-исток | ±20 В |
| Сопротивление в активном состоянии | 35 мОм |
| Установка | ТХТ |
| Тип упаковки | трубка |
| Платеж через шлюз | 22нС |
| Технологии | GaN |
| Тип транзистора | HEMT, каскод |