
| Напряжение затвор-исток | ±20 В |
|---|---|
| Напряжение сток-исток | 100 В |
| Платеж через шлюз | 170 нКл |
| Поляризация | униполярный |
| Производитель | ИНФАЙНЕОН ТЕХНОЛОГИИ |
| Рассеянная мощность | 330 Вт |
| Случай | TO220AB |
| Сопротивление в активном состоянии | 7 мОм |
| Технологии | HEXFET® |
| Тип канала | обогащенный |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Тип упаковки | трубка |
| Установка | ТХТ |
| ток стока | 140А |
| Производитель | ИНФАЙНЕОН ТЕХНОЛОГИИ |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Поляризация | униполярный |
| Напряжение сток-исток | 100 В |
| ток стока | 140А |
| Рассеянная мощность | 330 Вт |
| Случай | TO220AB |
| Напряжение затвор-исток | ±20 В |
| Сопротивление в активном состоянии | 7 мОм |
| Установка | ТХТ |
| Тип упаковки | трубка |
| Тип канала | обогащенный |
| Платеж через шлюз | 170 нКл |
| Технологии | HEXFET® |