
| Производитель | IXYS |
|---|
| Время ожидания | 170 нс |
|---|---|
| Импульсный ток стока | 10А |
| Напряжение затвор-исток | ±30 В |
| Напряжение сток-исток | 850 В |
| Платеж через шлюз | 7нКл |
| Поляризация | униполярный |
| Рассеянная мощность | 150 Вт |
| Свойства полупроводниковых элементов | ультрапереход X-класса |
| Случай | ТО263 |
| Сопротивление в активном состоянии | 2,5 Ом |
| Технологии | HiPerFET™, X-класс |
| Тип канала | обогащенный |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Тип упаковки | трубка |
| Установка | SMD |
| ток стока | 3.5А |
| Производитель | IXYS |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Поляризация | униполярный |
| Напряжение сток-исток | 850 В |
| ток стока | 3.5А |
| Импульсный ток стока | 10А |
| Рассеянная мощность | 150 Вт |
| Случай | ТО263 |
| Напряжение затвор-исток | ±30 В |
| Сопротивление в активном состоянии | 2,5 Ом |
| Установка | SMD |
| Тип упаковки | трубка |
| Тип канала | обогащенный |
| Время ожидания | 170 нс |
| Платеж через шлюз | 7нКл |
| Технологии | HiPerFET™, X-класс |
| Свойства полупроводниковых элементов | ультрапереход X-класса |