
| Производитель | IXYS |
|---|
| Время ожидания | 180 нс |
|---|---|
| Напряжение затвор-исток | ±30 В |
| Напряжение сток-исток | 650 В |
| Платеж через шлюз | 108 нКл |
| Поляризация | униполярный |
| Рассеянная мощность | 780 Вт |
| Случай | ТО268 |
| Сопротивление в активном состоянии | 52 мОм |
| Технологии | HiPerFET™, класс X2 |
| Тип канала | обогащенный |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Тип упаковки | трубка |
| Установка | SMD |
| ток стока | 60А |
| Производитель | IXYS |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Поляризация | униполярный |
| Напряжение сток-исток | 650 В |
| ток стока | 60А |
| Рассеянная мощность | 780 Вт |
| Случай | ТО268 |
| Напряжение затвор-исток | ±30 В |
| Сопротивление в активном состоянии | 52 мОм |
| Установка | SMD |
| Платеж через шлюз | 108 нКл |
| Тип упаковки | трубка |
| Тип канала | обогащенный |
| Время ожидания | 180 нс |
| Технологии | HiPerFET™, класс X2 |