Транзистор: N-MOSFET; SiC; однополярный; 1,7 кВ; 4,1 А; Idm: 15 А; 100 Вт
Код: 992055612
Под заказ. Отправка с 14.11.2026
408.27 ₴
439 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Наложенный платеж
Оплата на счет
Характеристики и описание
| Импульсный ток стока | 15А |
|---|---|
| Напряжение затвор-исток | -5...20В |
| Напряжение сток-исток | 1,7 кВ |
| Платеж через шлюз | 10 нКл |
| Поляризация | униполярный |
| Производитель | Решения на основе диодов SMC |
| Рассеянная мощность | 100 Вт |
| Свойства полупроводниковых элементов | Вывод Кельвина |
| Случай | D2PAK-7 |
| Сопротивление в активном состоянии | 1,9 Ом |
| Технологии | SiC |
| Тип канала | обогащенный |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Тип упаковки | трубка |
| Установка | SMD |
| ток стока | 4.1А |
| Производитель | Решения на основе диодов SMC |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Поляризация | униполярный |
| Напряжение сток-исток | 1,7 кВ |
| ток стока | 4.1А |
| Импульсный ток стока | 15А |
| Рассеянная мощность | 100 Вт |
| Случай | D2PAK-7 |
| Напряжение затвор-исток | -5...20В |
| Сопротивление в активном состоянии | 1,9 Ом |
| Установка | SMD |
| Платеж через шлюз | 10 нКл |
| Тип упаковки | трубка |
| Тип канала | обогащенный |
| Технологии | SiC |
| Свойства полупроводниковых элементов | Вывод Кельвина |
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
