
| Импульсный ток стока | 223А |
|---|---|
| Напряжение затвор-исток | -4...18В |
| Напряжение сток-исток | 1,2 кВ |
| Платеж через шлюз | 143нС |
| Поляризация | униполярный |
| Производитель | Решения на основе диодов SMC |
| Рассеянная мощность | 130 Вт |
| Свойства полупроводниковых элементов | Вывод Кельвина |
| Случай | ПОТЕРИ |
| Сопротивление в активном состоянии | 50 мОм |
| Технологии | SiC |
| Тип канала | обогащенный |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Тип упаковки | рулон, лента |
| Установка | SMD |
| ток стока | 46А |
| Производитель | Решения на основе диодов SMC |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Поляризация | униполярный |
| Напряжение сток-исток | 1,2 кВ |
| ток стока | 46А |
| Рассеянная мощность | 130 Вт |
| Случай | ПОТЕРИ |
| Напряжение затвор-исток | -4...18В |
| Сопротивление в активном состоянии | 50 мОм |
| Установка | SMD |
| Тип упаковки | рулон, лента |
| Тип канала | обогащенный |
| Импульсный ток стока | 223А |
| Платеж через шлюз | 143нС |
| Технологии | SiC |
| Свойства полупроводниковых элементов | Вывод Кельвина |