Транзистор: N-MOSFET; однополярный; 500 В; 12,6 А; 190 Вт; корпус TO247; защита от электростатического разряда.
Код: 2505029815
Под заказ. Отправка с 29.09.2026
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 114 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта
Оплата на счетIBAN UA133220010000026004340046026
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|
Пользовательские характеристики
| Версия | ЭСД |
|---|---|
| Напряжение затвор-исток | ±30 В |
| Напряжение сток-исток | 500 В |
| Поляризация | униполярный |
| Рассеянная мощность | 190 Вт |
| Случай | ТО247 |
| Сопротивление в активном состоянии | 0,27 Ом |
| Технологии | MDmesh™ |
| Тип канала | обогащенный |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Тип упаковки | трубка |
| Установка | ТХТ |
| ток стока | 12.6А |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Технологии | MDmesh™ |
| Поляризация | униполярный |
| Напряжение сток-исток | 500 В |
| ток стока | 12.6А |
| Рассеянная мощность | 190 Вт |
| Случай | ТО247 |
| Сопротивление в активном состоянии | 0,27 Ом |
| Установка | ТХТ |
| Тип упаковки | трубка |
| Тип канала | обогащенный |
| Версия | ЭСД |
| Напряжение затвор-исток | ±30 В |
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре