
| Коллекторный ток | 29А |
|---|---|
| Максимальное обратное напряжение. | 1,2 кВ |
| Механическая сборка | закрученный |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±30 В |
| Полупроводниковая структура | один транзистор |
| Производитель | ТЕХНОЛОГИЯ МИКРОЧИПОВ |
| Случай | SOT227B |
| Технологии | POWER MOS 7®, PT |
| Тип полупроводникового модуля | ИГБТ |
| Тип упаковки | трубка |
| Ток коллектора импульса | 140А |
| Электромонтаж | закрученный |
| Производитель | ТЕХНОЛОГИЯ МИКРОЧИПОВ |
| Тип полупроводникового модуля | ИГБТ |
| Полупроводниковая структура | один транзистор |
| Максимальное обратное напряжение. | 1,2 кВ |
| Коллекторный ток | 29А |
| Случай | SOT227B |
| Электромонтаж | закрученный |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±30 В |
| Ток коллектора импульса | 140А |
| Технологии | POWER MOS 7®, PT |
| Механическая сборка | закрученный |
| Тип упаковки | трубка |