
| Производитель | IXYS |
|---|
| Коллекторный ток | 75А |
|---|---|
| Максимальное обратное напряжение. | 1,7 кВ |
| Механическая сборка | закрученный |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Полупроводниковая структура | один транзистор |
| Рассеянная мощность | 625 Вт |
| Свойства полупроводниковых элементов | высокое напряжение |
| Случай | SOT227B |
| Технологии | BiMOSFET™ |
| Тип полупроводникового модуля | ИГБТ |
| Ток коллектора импульса | 680А |
| Электромонтаж | закрученный |
| Производитель | IXYS |
| Тип полупроводникового модуля | ИГБТ |
| Полупроводниковая структура | один транзистор |
| Максимальное обратное напряжение. | 1,7 кВ |
| Коллекторный ток | 75А |
| Случай | SOT227B |
| Электромонтаж | закрученный |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Ток коллектора импульса | 680А |
| Технологии | BiMOSFET™ |
| Свойства полупроводниковых элементов | высокое напряжение |
| Механическая сборка | закрученный |
| Рассеянная мощность | 625 Вт |