Модуль: IGBT; один транзистор; максимальное напряжение: 1,7 кВ; ток: 21 А; корпус SOT227B
Код: 2566155290
Под заказ. Отправка с 16.09.2026
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 446 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта
Оплата на счетIBAN UA133220010000026004340046026
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | IXYS |
|---|
Пользовательские характеристики
| Коллекторный ток | 21А |
|---|---|
| Максимальное обратное напряжение. | 1,7 кВ |
| Механическая сборка | закрученный |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Полупроводниковая структура | один транзистор |
| Рассеянная мощность | 313W |
| Свойства полупроводниковых элементов | высокое напряжение |
| Случай | SOT227B |
| Технологии | BiMOSFET™ |
| Тип полупроводникового модуля | ИГБТ |
| Ток коллектора импульса | 265А |
| Электромонтаж | закрученный |
| Производитель | IXYS |
| Тип полупроводникового модуля | ИГБТ |
| Полупроводниковая структура | один транзистор |
| Максимальное обратное напряжение. | 1,7 кВ |
| Коллекторный ток | 21А |
| Случай | SOT227B |
| Электромонтаж | закрученный |
| Напряжение затвор-эмиттер | ±20 В |
| Ток коллектора импульса | 265А |
| Технологии | BiMOSFET™ |
| Свойства полупроводниковых элементов | высокое напряжение |
| Механическая сборка | закрученный |
| Рассеянная мощность | 313W |
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
