Транзистор: N-MOSFET; SiC; однополярный; 1,2 кВ; 24 А; Idm: 85 А; 150 Вт
Код: 1609792009
Под заказ. Отправка с 17.09.2026
1 490 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 149 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта
Оплата на счетIBAN UA133220010000026004340046026
Характеристики и описание
| Импульсный ток стока | 85А |
|---|---|
| Напряжение затвор-исток | -4...18В |
| Напряжение сток-исток | 1,2 кВ |
| Платеж через шлюз | 60 нКл |
| Поляризация | униполярный |
| Производитель | БАЗОВЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК |
| Рассеянная мощность | 150 Вт |
| Свойства полупроводниковых элементов | Вывод Кельвина |
| Случай | ТО263-7 |
| Сопротивление в активном состоянии | 65 мОм |
| Технологии | SiC |
| Тип канала | обогащенный |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Тип упаковки | трубка |
| Установка | SMD |
| ток стока | 24А |
| Производитель | БАЗОВЫЙ ПОЛУПРОВОДНИК |
| Тип транзистора | N-МОП-транзистор |
| Поляризация | униполярный |
| Напряжение сток-исток | 1,2 кВ |
| ток стока | 24А |
| Импульсный ток стока | 85А |
| Рассеянная мощность | 150 Вт |
| Случай | ТО263-7 |
| Напряжение затвор-исток | -4...18В |
| Сопротивление в активном состоянии | 65 мОм |
| Установка | SMD |
| Платеж через шлюз | 60 нКл |
| Тип упаковки | трубка |
| Тип канала | обогащенный |
| Технологии | SiC |
| Свойства полупроводниковых элементов | Вывод Кельвина |
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
