Prom – найбільший маркетплейс України

SRAM, 8 Мб (1 М x 8), 5 В, 45 нс, TSOP-44

Код: 1588920434
Под заказ. Отправка с 25.08.2026
1 047 

Доставка

  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта
SRAM, 8 Мб (1 М x 8), 5 В, 45 нс, TSOP-44 - фото 1 - id-p3156407412

Характеристики и описание

Основные

Производитель
Sram

Пользовательские характеристики

EAN/GTIN9900001465574
RoHSсоответствовать
Вес0,001 кг
Время доступа45 нс
Дизайнасинхрон
Идентификатор производителяCY62158ELL-45ZSXI
Код ТН ВЭД85423245
МoдельSRAM
Напряжение питания5,0 В ПОСТОЯННОГО ТОКА
Память8 Мб (1 М x 8)
Размер слова8 бит
Температурный диапазон0 ... +70
ТипНизкая мощность
Форма монтажаTSOP-44

8 Мбіт (1 М × 8) статична оперативна пам'ять, SRAM LLPow як 5 В 1 Мбіт/с 8 45 нс TSOP44(II)

Опис
CY62158E MoBL® — це високопродуктивна статична оперативна пам'ять CMOS, організована як 1024 тис. слів по 8 біт. Цей пристрій має вдосконалену схемотехніку для забезпечення наднизького активного струму. Це ідеально підходить для забезпечення тривалості роботи від батареї (Moder Battery Life™, MoBL?) у портативних пристроях. Пристрій також має функцію автоматичного вимкнення живлення, яка значно знижує споживання енергії. Переведення пристрою в режим очікування значно знижує споживання енергії, якщо цей параметр не вибрано (CE1 HIGH або CE2 LOW). Для запису на пристрій необхідно встановити сигнали ввімкнення мікросхеми (CE1 LOW та CE2 HIGH) та вхід увімкнення запису (WE) у низький рівень. Дані на восьми контактах вводу/виводу (I/O0 - I/O7) потім записуються в місце, вказане на адресних контактах (A0 - A19). Для зчитування з пристрою необхідно встановити сигнали ввімкнення мікросхеми (CE1 LOW та CE2 HIGH) та OE LOW, одночасно встановлюючи WE у високий рівень. За цих умов вміст місця пам'яті, вказаного адресними контактами, з'являється на контактах вводу/виводу. Вісім вхідних і вихідних контактів (I/O0 - I/O7) переводяться у стан високого імпедансу, коли пристрій не вибрано (CE1 HIGH або CE2 LOW), виходи вимкнено (OE HIGH) або виконується операція запису (CE1 LOW, CE2 HIGH та WE LOW). Повний опис режимів читання та запису дивіться в таблиці істинності на сторінці 11. Пристрій CY62158E підходить для взаємодії з процесорами, які мають рівні TTL I/P. Він не підходить для процесорів, які потребують рівнів CMOS I/P.

Особливості
- Дуже висока швидкість: 45 нс
- Широкий діапазон напруги: 4,5 В - 5,5 В
- Ультранизька активна потужність
- Типовий активний струм: 1,8 мА при f = 1 МГц
- Типовий активний струм: 18 мА при f = fmax
- Надзвичайно низьке енергоспоживання в режимі очікування
- Типовий струм у режимі очікування: 2 мкА
- Максимальний струм у режимі очікування: 8 мкА
- Легке розширення пам'яті за допомогою функцій CE1, CE2 та OE
- Автоматичне вимкнення живлення після зняття вибору
- CMOS для оптимальної швидкості та потужності
- Пропонується в безсвинцевому 44-контактному корпусі TSOP II

Генерал
Тип Низька потужність
Модель SRAM
Дизайн асинхронний
Форма кріплення TSOP-44
Пам'ять 8 Мб (1 Мб x 8)
Електричні показники
Час доступу 45 нс
Напруга живлення 5,0 В ПОСТІЙНОГО СТРУМУ
Інше
Температурний діапазон 0 ... +70
Реалізація
Розмір слова 8 біт
Технічні характеристики виробника
Виробник КИПАРИС

 

SRAM, 8 Mb (1 M x 8), 5 V, 45ns, TSOP-44

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
chipmod
Рейтинг не сформирован