SRAM, 4 Мб (256 К x 16), 5 В, 45нс, TSOP-44

4 Мбіт/с (256 К × 16) статична оперативна пам'ять, SRAM, 5 В, 256 кДж x 16, 45 нс, TSOP32(II)

Опис
CY62146E — це високопродуктивна статична оперативна пам'ять CMOS, організована як 256 тисяч слів по 16 біт. Цей пристрій має вдосконалену схемотехніку для забезпечення наднизького активного струму. Він ідеально підходить для забезпечення тривалішого терміну служби батареї (MoBL®) у портативних пристроях. Пристрій також має функцію автоматичного вимкнення живлення, яка зменшує споживання енергії, коли адреси не перемикаються. Переведення пристрою в режим очікування зменшує споживання енергії більш ніж на 99%, коли вибір не знято (CE HIGH). Вхідні та вихідні контакти (I/O0 - I/O15) переводяться у стан високого імпедансу, коли вибір пристрою не знято (CE HIGH), виходи вимикаються (OE HIGH), як увімкнення високого байта, так і увімкнення низького байта вимикаються (BHE, BLE HIGH) або під час операції запису (CE LOW та WE LOW). Для запису на пристрій необхідно встановити низький рівень на входи увімкнення мікросхеми (CE) та увімкнення запису (WE). Якщо рівень увімкнення низького байта (BLE) має низький рівень, то дані з контактів вводу/виводу (I/O0 - I/O7) записуються в місце, вказане на адресних контактах (A0 - A17). Якщо рівень увімкнення високого байта (BHE) має низький рівень, то дані з контактів вводу/виводу (I/O8 -
I/O15) записується в місце, вказане на адресних виводах (A0 - A17). Для зчитування з пристрою встановіть низький рівень у виводах Chip Enable (CE) і Output Enable (OE), а вивід Write Enable (WE) встановіть у високий рівень. Якщо низький рівень дозволу байта (BLE) низький, то дані з комірки пам'яті, вказаної адресними виводами, з'являються на входах I/O0 - I/O7. Якщо сигнал дозволу старшого байта (BHE) низький, то дані з пам'яті з'являються на входах I/O8 - I/O15. Повний опис режимів читання і запису див. у таблиці істинності на стор. 11. Пристрій CY62146E підходить для взаємодії з процесорами, які мають рівні вводу/виводу TTL. Він не підходить для процесорів, які потребують CMOS рівнів вводу/виводу.

Особливості
- Дуже висока швидкість: 45 нс
- Широкий діапазон напруги: від 4,5 В до 5,5 В
- Надзвичайно низьке енергоспоживання в режимі очікування
- Типовий струм у режимі очікування: 1 мкА
- Максимальний струм у режимі очікування: 7 мкА
- Ультранизька активна потужність
- Типовий активний струм: 2 мА при f = 1 МГц
- Легке розширення пам'яті завдяки функціям CE та OE
- Автоматичне вимкнення живлення після зняття вибору
- Комплементарний металоксид-напівпровідник (КМОП) для оптимальної швидкості та потужності
- Доступний у безсвинцевому 44-вивідному тонкому малогабаритному корпусі (TSOP) типу II