
| Производитель | PD |
|---|
Найменування:
Транзистор польовий IRF100B201 (N-channel) 100V, 192A TO-220
Коротко:
IRF100B201 — потужний N-канальний MOSFET транзистор у корпусі TO-220, призначений для роботи у високострумових силових схемах. Використовується в інверторах, джерелах живлення, системах керування двигунами, перетворювачах напруги та промисловій електроніці.
ЕЛЕКТРИЧНІ ПАРАМЕТРИ:
• Тип: N-Channel MOSFET
• Модель: IRF100B201
• Максимальна напруга стік–витік (VDS): 100V
• Максимальний струм стоку (ID): 192A (при 25°C)
• Максимальна напруга затвор–витік (VGS): ±20V
• Опір відкритого каналу RDS(on): ≤5,3 мΩ
• Напруга відкривання VGS(th): приблизно 2–4V
• Потужність розсіювання PD: до 300W
• Заряд затвора Qg: близько 150–220 нКл
• Робоча температура переходу: -55…+175°C
ФУНКЦІОНАЛ:
• Комутація силових навантажень
• Імпульсні блоки живлення (SMPS)
• Інвертори та перетворювачі
• Керування електродвигунами
• Високострумові джерела живлення
МЕХАНІЧНІ ПАРАМЕТРИ:
• Тип корпусу: TO-220
• Кількість виводів: 3
• Монтаж: THT (в отвори)
• Матеріал корпусу: пластик із металевою пластиною охолодження
РОЗПІНОВКА:
• 1 — Gate (затвор)
• 2 — Drain (стік)
• 3 — Source (витік)
ОСОБЛИВОСТІ:
• Дуже низький RDS(on)
• Висока струмова навантажувальна здатність
• Швидке перемикання
• Підходить для високопотужних схем
• Висока теплова стійкість
ПЕРЕВАГИ:
• Мінімальні втрати потужності
• Робота з великими струмами
• Надійність у силових застосуваннях
• Просте керування
• Сумісність із поширеними драйверами MOSFET
АНАЛОГИ:
• IRFB4110
• IRFB3077
• STP100NF10
• HY4008
• IPT007N06N
(перед заміною перевірити розпіновку, RDS(on), VGS та допустимий струм)
ВИСНОВОК:
IRF100B201 — високострумовий N-канальний MOSFET на 100V і до 192A у корпусі TO-220, який підходить для потужних інверторів, перетворювачів та силових систем із високими вимогами до ефективності.