Транзистор A1133P
Код: DIST-7754
Готово к отправке
от 100 ₴/мес
999 ₴
1 412 ₴скидка еще 46 дней
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 100 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Meest ПОШТА, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA203355480000026002053634144
Характеристики и описание
| Страна производитель | Китай |
|---|
Транзистор A1133P — биполярный PNP-транзистор средней мощности, производства Японии. Используется в усилительных каскадах, схемах коммутации и стабилизаторах напряжения.
Основные характеристики:
| Тип транзистора | PNP биполярный |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo) | -160 В |
| Максимальный ток коллектора (Ic) | -1,5 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (Pc) | 25 Вт |
| Корпус | TO-220 |
| Производитель | Япония |
Области применения:
- Усилители звуковой частоты
- Блоки питания и стабилизаторы напряжения
- Схемы управления и коммутации
- Инверторы и преобразователи
- Промышленная электроника
Преимущества:
- Высокое напряжение коллектор-эмиттер
- Надежная конструкция в корпусе TO-220
- Стабильные параметры при различных температурах
- Японское качество изготовления
Транзистор A1133P подходит для замены аналогичных компонентов в ремонте и разработке электронных устройств.
Купить Транзистор A1133P вы можете в нашем оффициальном магазине Distancionka.com
![IRG4IBC30UDPBF IGBT транзистор - [TO-220-3-FP]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 17 А: Iк@100°C: 8.9 А: Uкэ.нас: 1.95 В: Диод Uпад: 1.4](https://images.prom.ua/7450495164_w200_h200_irg4ibc30udpbf-igbt-tranzistor.jpg)
![STW77N65M5 MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]: Тип: N: Uси: 650 В: Iс(25°C): 69 А: Rси(вкл): 38 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:](https://images.prom.ua/7450528406_w200_h200_stw77n65m5-mosfet-silovoj.jpg)
![IRGP450UD2 IGBT транзистор - [TO-247-3]](https://images.prom.ua/7450489437_w200_h200_irgp450ud2-igbt-tranzistor.jpg)
![IRGP4650DPBF IGBT транзистор - [TO-247-3]: Uкэ.макс: 600 В: Iк@25°C: 76 А: Iк@100°C: 50 А: Uкэ.нас: 1.6 В: tнар: 33 нс: tспада: 46](https://images.prom.ua/7450489438_w200_h200_irgp4650dpbf-igbt-tranzistor.jpg)
![IRFS3107-7PPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-263-7]: Тип: N: Uси: 75 В: Iс(25°C): 260 А: Rси(вкл): 2.6 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:](https://images.prom.ua/7450524513_w200_h200_irfs3107-7ppbf-mosfet-silovoj.jpg)
